台積電(2330)

台股權值龍頭台積電(2330)今（7）日開盤表現疲弱，早盤以1,665元開出，較前一交易日下跌40元，雖然台積電ADR在前一晚美股交易中上漲1.61%，收在327.43美元，換算對台北交易溢價高達20.9%，但仍無法抵擋台股大盤面臨的獲利了結賣壓。台股加權指數開盤同步走低，下跌逾160點，顯示市場在

市場高度關注台積電(2330)即將於1月15日召開的法人說明會，這被視為農曆年前台股走勢最重要的關鍵風向球。群益台灣科技創新主動式ETF經理人陳朝政指出，參考過往數據，當1月份擁有完整工作天數時，指數上漲機率高，加上1月初美國消費電子展（CES）登場，以及隨後而來的台積電法說會與美股財報周效應，預期

2026 年 CES 上，輝達執行長黃仁勳公開說「中國客戶對 H200 的需求非常強」，公司已經把產線與供應鏈重新點火，出口許可也進入最後協商。市場在意的不是口號，而是兩個字：出貨。H200產線再點火，市場先看「有沒有真的賣出去」這次主角是輝達(NVDA)的 H200 資料中心 AI 晶片。它不是最

台股延續開年紅盤氣勢，加權指數今（7）日盤中一度突破30,576點，再寫歷史新高，成交量達7,335億元。權值王台積電(2330)成為多頭主力，早盤上漲至1705元天價，終場收在1670元，漲幅逾2%。盤面亮點聚焦預定於1月15日召開法說會的台積電，市場高度期待其對2026年展望釋出具體指引。受惠A

台積電ADR(TSM)延續多日漲勢，於週二上漲1.62%，收在327.43美元，連續第四日上攻，四日累計漲幅達9.3%。換算後已較台北交易市場的收盤價1,705元溢價達20.93%。此波上揚主因美股受惠於費城半導體指數勁揚2.75%、創歷史新高，加上SanDisk、美光等記憶體與儲存股領漲，激勵半導

美國時間 2026 年 1 月 5 日到 6 日（台灣時間 1 月 6 日到 7 日）的 CES 2026，AI 資料中心硬體一次被點燃兩次：輝達(NVDA)丟出下一代 Rubin 平台「已進入全速生產」的訊號；超微(AMD)(AMD)則端出新一輪資料中心 AI 晶片與「整櫃」方案，並把後面幾年的路

受惠於國際消費性電子展（CES）以及1/15即將登場的台積電(2330)法說會的助攻，台股連日「漲聲不斷」甚至站穩3萬點，6日再漲471點、30576點作收。然而揮別2025後，財信傳媒董事長謝金河表示，2026年有2件事情不能做！ 謝金河在臉書表示，和先探投資週刊的同仁開會，討論2026年的兩個「

2026年1月以來，台積電(2330)持續吸引市場焦點。在1月5日，隨美股科技族群帶動，台積電ADR勁揚5.17%、創歷史收盤新高，回台後台積電現股同步大漲，盤中一度衝高至1,695元，終場收在1,670元。隨後在1月6日再次上攻、收盤站穩1,705元新高紀錄，單日上漲35元。受惠於AI市場需求延續

晶圓代工龍頭台積電(2330)美國掛牌ADR(TSM)表現持續強勢，近四個交易日積漲逾8%，最新一日（1月6日）再漲1.61%或5.18美元，收在327.43美元，再創歷史新高。盤中高點一度觸及333.08美元，顯示投資人對其先進製程與獲利展望樂觀，並提前布局1月15日即將召開的法說會。本波走強主因

隨著CES 2026即將登場，市場多頭氛圍濃厚並順勢點火台股，權值王台積電(2330)於1月6日表現強勢，股價持續刷新紀錄，一舉攻上1,705元的新高價位。這波漲勢不僅確立了台積電在半導體產業的領先地位，更帶動盤面上多達23檔個股與44檔台股ETF同步奔上天價，顯示資金動能充沛且正由權值股向外擴散。